• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Technológia  OptiMOS™  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  55V  
• Prúd drainu  80A  
• Rozptýlenie energie  210W  
• Puzdro  PG-TO263-3  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  6.7m?  
• Montáž  SMD

• Typ tranzistora  NPN  
• Polarizácia  bipolárny  
• Napätie kolektor-emitor  30V  
• Kolektorový prúd  100mA  
• Rozptýlenie energie  500mW  
• Puzdro  TO92  
• Zosilnenie tranzistora  400  
• Montáž  THT

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Technológia  HEXFET®  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  55V  
• Prúd drainu  133A  
• Rozptýlenie energie  200W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  5.3m?  
• Montáž  THT  
  

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  55V  
• Prúd drainu  80A  
• Rozptýlenie energie  300W  
• Puzdro  TO220-3  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  6.5m?  
• Montáž  THT

• Typ tranzistora  NPN  
• Polarizácia  bipolárny  
• Napätie kolektor-emitor  230V  
• Kolektorový prúd  15A  
• Rozptýlenie energie  150W  
• Puzdro  TO3PL  
• Montáž  THT  
• Druh balenia  tuba  
• Kmitočet  30MHz

FQPF5N50C TO220 isoN-FET 500V 5A 38W

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  500V  
• Prúd drainu  5.1A  
• Rozptýlenie energie  125W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  0.85?  
• Montáž  THT