Je tu 78 produktov.
Tranzistor P30N06E TO220N-FET 60V 30A 105W
Cena
2,90 €
Dostupnosť: 8 Skladom
Tranzistor P30N06E TO220N-FET 60V 30A 105W =P30NE06; P30NE06L
Tranzistor IGBT 650V 75A 198W TO247-3
Cena
7,50 €
Dostupnosť: 8 Skladom
Výrobca INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora IGBT
Technológia TRENCHSTOP™ 5
Napätie kolektor-emitor 650V
Kolektorový prúd 75A
Rozptýlenie energie 198W
Puzdro TO247-3
Napätie hradlo - emitor ±20V
Impulzný kolektorový prúd 300A
Montáž THT
Náboj hradla 160nC
Druh balenia tuba
Výrobná séria H5
Čas príťahu 61ns
Čas odpadu 215ns
Štruktúra polovodiča samostatný tranzistor
Vlastnosti polovodičových súčiastok integrated anti-parallel diode
Typ tranzistora IGBT
Technológia TRENCHSTOP™ 5
Napätie kolektor-emitor 650V
Kolektorový prúd 75A
Rozptýlenie energie 198W
Puzdro TO247-3
Napätie hradlo - emitor ±20V
Impulzný kolektorový prúd 300A
Montáž THT
Náboj hradla 160nC
Druh balenia tuba
Výrobná séria H5
Čas príťahu 61ns
Čas odpadu 215ns
Štruktúra polovodiča samostatný tranzistor
Vlastnosti polovodičových súčiastok integrated anti-parallel diode
Tranzistor N-MOSFET 100V 68A 221W TO220AB
Cena
1,90 €
Dostupnosť: 6 Skladom
Výrobca INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora N-MOSFET
Technológia HEXFET®
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 100V
Prúd drainu 68A
Rozptýlenie energie 221W
Puzdro TO220AB
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 8.6mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 77nC
Druh balenia tuba
Druh kanálu obohatený
Typ tranzistora N-MOSFET
Technológia HEXFET®
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 100V
Prúd drainu 68A
Rozptýlenie energie 221W
Puzdro TO220AB
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 8.6mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 77nC
Druh balenia tuba
Druh kanálu obohatený
Tranzistor unipol. 400V 10A 125W
Cena
1,20 €
Dostupnosť: 4 Skladom
Typ tranzistora
N-MOSFET
Polarizácia
unipolárny
Napätie drain-source
400V
Prúd drainu
6.3A
Rozptýlenie energie
125W
Puzdro
TO220AB
Napätie gate-source
±30V
Odpor v zopnutom stave
550mΩ
Montáž
THT
Náboj hradla
36nC
Druh balenia
tuba
Druh kanálu
obohatený
N-MOSFET
Polarizácia
unipolárny
Napätie drain-source
400V
Prúd drainu
6.3A
Rozptýlenie energie
125W
Puzdro
TO220AB
Napätie gate-source
±30V
Odpor v zopnutom stave
550mΩ
Montáž
THT
Náboj hradla
36nC
Druh balenia
tuba
Druh kanálu
obohatený