Tranzistor IPB80N06S2L07

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Technológia  HEXFET®  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  55V  
• Prúd drainu  133A  
• Rozptýlenie energie  200W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  5.3m?  
• Montáž  THT  
  

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  500V  
• Prúd drainu  5.1A  
• Rozptýlenie energie  125W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  0.85?  
• Montáž  THT  

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  500V  
• Prúd drainu  2.9A  
• Rozptýlenie energie  74W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  1.5?  
• Montáž  THT  
  

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  200V  
• Prúd drainu  19A  
• Rozptýlenie energie  190W  
• Puzdro  TO247AC  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  0.85?  
• Montáž  THT

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  55V  
• Prúd drainu  98A  
• Rozptýlenie energie  150W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  8m?  
• Montáž  THT

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  500V  
• Prúd drainu  1.6A  
• Rozptýlenie energie  50W  
• Puzdro  TO220AB  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  3?  
• Montáž  THT  
• Náboj hradla  24nC  
• Druh kanálu  obohatený

• Typ tranzistora  N-MOSFET  
• Polarizácia  unipolárny  
• Napätie drain-source  55V  
• Prúd drainu  80A  
• Rozptýlenie energie  300W  
• Puzdro  TO220-3  
• Napätie gate-source  ±20V  
• Odpor v zopnutom stave  6.5m?  
• Montáž  THT

FQPF5N50C TO220 isoN-FET 500V 5A 38W