Tranzistor IRF530PBF
Kód: 1217
0,60 €
S DPH
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 100V
- Prúd drainu 10A
- Rozptýlenie energie 88W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 0.16?
- Montáž THT
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 100V
- Prúd drainu 10A
- Rozptýlenie energie 88W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 0.16?
- Montáž THT
16 ďalších produktov v rovnakej kategórii:
Tranzistor IRF830PBF
Cena
0,80 €
Dostupnosť: 101 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 500V
- Prúd drainu 2.9A
- Rozptýlenie energie 74W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 1.5?
- Montáž THT
Tranzistor unipolárny 55V, 80A, 200W TO247
Cena
5,50 €
Dostupnosť: 10 Skladom
Výrobca NTE Electronics
Typ tranzistora N-MOSFET
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 55V
Prúd drainu 80A
Impulzný prúd kolektora 390A
Rozptýlenie energie 200W
Puzdro TO247
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 8mΩ
Montáž THT
Druh kanálu obohatený
Typ tranzistora N-MOSFET
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 55V
Prúd drainu 80A
Impulzný prúd kolektora 390A
Rozptýlenie energie 200W
Puzdro TO247
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 8mΩ
Montáž THT
Druh kanálu obohatený
Tranzistor IRF820PBF
Cena
0,80 €
Dostupnosť: 67 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 500V
- Prúd drainu 1.6A
- Rozptýlenie energie 50W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 3?
- Montáž THT
- Náboj hradla 24nC
- Druh kanálu obohatený
Tranzistor IPB80N06S2L07
Cena
2,50 €
Dostupnosť: 25 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Technológia OptiMOS™
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 55V
- Prúd drainu 80A
- Rozptýlenie energie 210W
- Puzdro PG-TO263-3
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 6.7m?
- Montáž SMD
Tranzistor IRF1405PBF
Cena
2,00 €
Dostupnosť: 19 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Technológia HEXFET®
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 55V
- Prúd drainu 133A
- Rozptýlenie energie 200W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 5.3m?
- Montáž THT
Tranzistor BS107
Cena
0,50 €
Dostupnosť: 65 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 200V
- Prúd drainu 0.12A
- Rozptýlenie energie 0.5W
- Puzdro TO92
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 23?
- Montáž THT
- Druh kanálu obohatený
Tranzistor unipol. 400V 10A 125W
Cena
1,20 €
Dostupnosť: Vypredané
Typ tranzistora
N-MOSFET
Polarizácia
unipolárny
Napätie drain-source
400V
Prúd drainu
6.3A
Rozptýlenie energie
125W
Puzdro
TO220AB
Napätie gate-source
±30V
Odpor v zopnutom stave
550mΩ
Montáž
THT
Náboj hradla
36nC
Druh balenia
tuba
Druh kanálu
obohatený
N-MOSFET
Polarizácia
unipolárny
Napätie drain-source
400V
Prúd drainu
6.3A
Rozptýlenie energie
125W
Puzdro
TO220AB
Napätie gate-source
±30V
Odpor v zopnutom stave
550mΩ
Montáž
THT
Náboj hradla
36nC
Druh balenia
tuba
Druh kanálu
obohatený
Tranzistor IRF3205PBF
Cena
1,40 €
Dostupnosť: Vypredané
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 55V
- Prúd drainu 98A
- Rozptýlenie energie 150W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 8m?
- Montáž THT
Tranzistor IRF840PBF
Cena
0,80 €
Dostupnosť: 10 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 500V
- Prúd drainu 5.1A
- Rozptýlenie energie 125W
- Puzdro TO220AB
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 0.85?
- Montáž THT
Tranzistor STP80NF55-06
Cena
2,50 €
Dostupnosť: 17 Skladom
- Typ tranzistora N-MOSFET
- Polarizácia unipolárny
- Napätie drain-source 55V
- Prúd drainu 80A
- Rozptýlenie energie 300W
- Puzdro TO220-3
- Napätie gate-source ±20V
- Odpor v zopnutom stave 6.5m?
- Montáž THT
Tranzistor N-MOSFET 100V 68A 221W TO220AB
Cena
1,90 €
Dostupnosť: 6 Skladom
Výrobca INFINEON TECHNOLOGIES
Typ tranzistora N-MOSFET
Technológia HEXFET®
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 100V
Prúd drainu 68A
Rozptýlenie energie 221W
Puzdro TO220AB
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 8.6mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 77nC
Druh balenia tuba
Druh kanálu obohatený
Typ tranzistora N-MOSFET
Technológia HEXFET®
Polarizácia unipolárny
Napätie drain-source 100V
Prúd drainu 68A
Rozptýlenie energie 221W
Puzdro TO220AB
Napätie gate-source ±20V
Odpor v zopnutom stave 8.6mΩ
Montáž THT
Náboj hradla 77nC
Druh balenia tuba
Druh kanálu obohatený
Tranzistor P30N06E TO220N-FET 60V 30A 105W
Cena
2,90 €
Dostupnosť: 7 Skladom
Tranzistor P30N06E TO220N-FET 60V 30A 105W =P30NE06; P30NE06L
BS170
Cena
0,50 €
Dostupnosť: 25 Skladom
Séria -
Polarita MOSFET N
Vdss (napätie z odberu do zdroja) 60 V
Id @ Tc=25°C (nepretržitý odtokový prúd) 0,5A
Napätie pohonu neuvádza sa
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm / 0,2 A / 10 V
Vgs(th) (Max) @ ID neuvádza sa
Qg (celkový poplatok za bránu, Max @ Vgs) neuvádza sa
Vgs (Max) 60 V
Pd (Stratý výkon, Max) 0,83 W
Prevádzková teplota neuvádza sa
Prípad TO92
Typ uchytenia THT
Poznámka -
MSL -
RoHS Áno
Polarita MOSFET N
Vdss (napätie z odberu do zdroja) 60 V
Id @ Tc=25°C (nepretržitý odtokový prúd) 0,5A
Napätie pohonu neuvádza sa
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm / 0,2 A / 10 V
Vgs(th) (Max) @ ID neuvádza sa
Qg (celkový poplatok za bránu, Max @ Vgs) neuvádza sa
Vgs (Max) 60 V
Pd (Stratý výkon, Max) 0,83 W
Prevádzková teplota neuvádza sa
Prípad TO92
Typ uchytenia THT
Poznámka -
MSL -
RoHS Áno